硅晶片清洗剂

产品简介

硅晶片清洗剂是由A、B两部分组成， 按2：1配合使用，效果极其突出，适合多晶硅、单晶硅等光伏产业硅晶片的清洗。

产品特性

1经济性：属浓缩型产品，低浓度稀释使用，平均清洗成本低。

2高效性：脱脂除油效果好、络合能力强、清洗洁净度高的特点。

3低泡性：本产品具有低泡性，适用于浸泡、超声和喷淋等清洗工艺。

技术参数

技术参数 执行标准

1 外观 无色透明液体 无色透明液体 目测

2 比重（20℃） 1.205±0.015 1.035±0.015 GB/T13377-2010

3 pH值（25℃） 13.0±0.5 1.5±0.5 ASTM E70

4 清洗温度 50-60℃ 50-60℃ Q/OCKX001-2007 

适用范围

本产品只适合单晶硅、多晶硅等油污、悬浮液、氧化层等清洗，不适合单晶硅片制绒.

使用方法

1建议每100公斤工作液中添加3-6公斤硅晶片清洗剂浓缩液（A:B=2:1），对难清洗或油污比较重的硅片时可以适当根据情况在中间添加清洗剂，为了保证清洗效果，建议每班更换，建议使用去离子水配置工作液。

2一般每公斤硅片清洗剂可以处理125#单晶硅片2500片以上，添加时可以根据该比例计算，当遇到磨光碾磨膏硅片及回收悬浮液切割的硅片时应适当增加药剂量，当然在保证硅片成品率的情况下也可适当减少添加量。

4硅片在清洗过程中尽可能减少裸露在空气中的时间，以防止产生花片。

5.建议按如下清洗工艺进行清洗硅片： 第一槽  纯水/柠檬酸（乳酸）预洗；第二槽 纯水；第三槽    ES-375；第四槽  ES-375；第五槽    纯水（后面一般3-4槽纯水漂洗）。

注意事项

1线切后的晶棒不可以沾水，如不能及时清洗，最好先存放在悬浮液或清洗剂中（全部浸没）。

2线切后的晶棒一旦上架清洗，必须马上处理。而且在整个清洗过程中不可让硅片自然干燥。

3脱胶时必须保持硅片润湿，亦不可自然干燥。

4每个清洗周期完成后（如班次的更替），彻底更换五、六、七、八槽的清水槽。

5为保证硅片清洗的洁净度，在脱胶前的喷淋冲洗时间最好控制在30分钟以上。

6.工作使用时，应每当4小时检测一次，但碱度下降或清洗不干净时并及时添加本剂，以保证工作液的效果。

包装：

25kg/桶,200kg/桶  塑料桶包装。   

保质期：

2年